赵俊

发布时间:2022-05-06浏览次数:779

姓  名

性  别

出生年月

198112

学历学位

理学博士

职  称

副教授

部  门

理学院大学物理教学中心

导师类别

硕导

指导专业

物理学、材料学

办公地点

仙林教2-3162

办公电话

 

电邮地址

zhaojun@njupt.edu.cn

个人主页

 

主授课程

  大学物理(本科学生)、计算物理(硕士研究生)

社会

兼职

担任Nanoscale, Appl. Phys. Lett., J. Phys. Chem. Lett.,   Carbon, J.   Phys. Chem. C等期刊通讯审稿人;中国化学学会会员;

研究

方向

1、    低维纳米材料电输运性能与光电响应机制的研究;

2、    低维材料拓扑绝缘体设计与谷电子学研究;

3、    低维纳米表界面的电催化性能模拟;

个人

简历

赵俊,南京大学物理化学专业博士毕业,长期从事低维纳米材料的理论设计与模拟工作,在Science, Adv. Funct. Mater., ACS Energy Lett., Appl. Phys. Lett., WIREs   Comput. Mol. Sci., Nano Research, Small, Carbon, Nanoscale, ACS Appl. Mater.   & Interfaces, J. Phys. Chem. C, Phys. Chem. Chem. Phys.等权威期刊上发表SCI检索论文50多篇。主持承担国家自然科学基金等项目8项。受邀担任Nanoscale, Appl. Phys. Lett., J. Phys. Chem. Lett., Carbon, J. Phys.   Chem. C等期刊的通讯审稿人。

主要

成果

主持承担国家自然科学基金等科研项目8; 第一或通讯作者在权威期刊上发表SCI论文50余篇;

研究

项目

12022.012025.12,国家自然科学基金-面上项目,主持,在研;

22019.012022.12,国家自然科学基金-面上项目,主持,在研;

32015.012017.12,国家自然科学基金-青年项目,主持,结题;

42014.012016.12,国家自然科学基金-合作研修,主持,结题;

52011.072014.07,湖北省教育厅科学研究项目,主持,结题;

52018.072021.07,南京邮电大学人才引进项目,主持,结题;

62019.012021.12,南京邮电大学国自基金孵化项目,主持,结题;

荣誉

奖励

湖北省第三层次人才;南京大学博士研究生国家奖学金;南京大学优秀毕业生;湖北省优秀学术论文一等奖;

论著
代表作

[1] Jun Zhao*, Xuhu Jin, Hui Zeng*, Can Yao,Gan Yan. Spin-valley   coupling and valley splitting in the MoSi2N4/CrCl3   van der Waals heterostructure. Appl. Phys. Lett.119: 213101 (2021)

[2] Jun Zhao*, Hui Zeng*. Type-II AsP/As van der Waals   Heterostructures: Tunable Anisotropic Electronic Structures and Optical   Properties. Adv. Mater. Interfaces8: 2001555 (2021)

[3] Xiaowen Yu, Jun   Zhao*, Mats Johnsson*. Interfacial Engineering of   Nickel Hydroxide on Cobalt Phosphide for Alkaline Water Electrocatalysis. Adv.   Funct. Mater., 2101578 (2021)

[4] Jun Zhao*, Hui Zeng*, Ge Yao. Computational design   of a polymorph for 2D III–V orthorhombic monolayers by first principles   calculations: excellent anisotropic, electronic and optical properties. Phys.   Chem. Chem. Phys., 23: 3771 (2021)

[5] Jun Zhao*, Hui Zeng*, Di Wang, Ge Yao.First principles calculation of metal (Ni and Cu) contact on the electronic   transport properties of 2D GeP semiconductor. Appl.   Surf. Sci., 542: 148596 (2021)

[6] Jun Zhao*, Hui Zeng*, Ge Yao, Di Wang.Electron   transport properties of 2D IV-V semiconductors and their improvement by   graphene contact. Appl. Surf. Sci., 519: 146203 (2020)

[7] Xiaojuan   Lian, Xinyi Shen,   Miaocheng   Zhang, Jianguang   Xu, Fei Gao,   Xiang Wan,   Ertao Hu,   Yufeng Guo,Jun Zhao*,Yi Tong*. Resistance switching characteristics and mechanisms   of MXene/SiO2 structure-based memristor. Appl. Phys. Lett. 115, 063501 (2019)

[8]   Jun Zhao,   Zheng-Hang   Qi, Yong Xu,   Jun Dai,   Xiao Cheng   Zeng, Wanlin Guo,   Jing Ma*.   Theoretical studies on tunable electronic structures and potential   applications of two‐dimensional arsenene‐based materials. WIREs Comput   Mol Sci, 9,   e1387(2019)

[9] Jun Zhao*, Hui Zeng, Xingfei Zhou.   X3N (X=C and Si) Monolayers and Their van der Waals Heterostructures with   Graphene and h-BN: Emerging Tunable   Electronic Structures by Strain Engineering. Carbon 145:1-9 (2019)

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